|
СОФИЙСКИ УНИВЕРСИТЕТ “СВ. КЛИМЕНТ ОХРИДСКИ” ФИЗИЧЕСКИ ФАКУЛТЕТ |
Утвърдена с Протокол на ФС N: …../ ……..
Декан:
/доц. д-р Д. Мърваков/
УЧЕБНА ПРОГРАМА
ПО ДИСЦИПЛИНАТА: ТЕХНОЛОГИИ В МИКРОЕЛЕКТРОНИКАТА
ВКЛЮЧЕНА В УЧЕБНИЯ ПЛАН НА СПЕЦИАЛНОСТ: ИНЖЕНЕРНА
ФИЗИКА
СТЕПЕН НА ОБУЧЕНИЕ: БАКАЛАВЪР
КАТЕДРА: ФТТ и МЕ
ИЗВАДКИ ОТ УЧЕБНИЯ ПЛАН
|
Вид на занятията: |
Семестър: |
Хорариум-часа/ |
Хорариум-часа |
Лекции |
8 |
4 |
60 |
|
Семинарни упражнения
|
|
|
|
|
Практически упражнения |
8 |
1 |
15 |
|
Общо часа: |
|
5 |
75 |
|
Форма на контрол: |
Текуща оценка |
|
|
А. АНОТАЦИЯ
Курсът е насочен към студентите от специалността Инженерна физика проявяващи интерес към областта на Микроелектрониката и Информационните технологии. В него се излагат основни познания за технологиите за получаване на твърдотелни материали, използвани в микроелектрониката и за технологични процеси за формиране на микроелектронни устройства.
Курсът се състои от лекции и упражнения с общ хорариум 75 часа (60 часа лекции и 15 часа упражнения). Лекционният материал условно се състои от две части:
Част І: Технологии на материали за микроелектрониката с хорариум 26 ч. лекции
Част ІІ: Технологични процеси, използвани при производството на интегрални схеми и дискретни прибори с хорариум 34 ч. лекции.
Към курса са предвидени 5 упражнения.
Курсът се чете в осми семестър.
Б. СЪДЪРЖАНИЕ НА УЧЕБНАТА ПРОГРАМА:
Лекции ( или упражнения)
|
№ |
Тема, вид на занятието: |
Брой часове |
|
Лекции |
||
|
1 |
Кристализация на веществата: термодинамични условия, преносни явления,образуване на кристални зародиши, механизми на кристален растеж. |
6 |
|
2 |
Израстване на монокристали от стопилка: особености. Методи на Бриджмен, Чохралски, Верньой и зонно топене за израстване на монокристали. Разпределение на примесите в монокристалите. |
8 |
|
3 |
Технология на монокристален Si за микроелектрониката. |
3 |
|
4 |
Кристализация от разтвори: особености, основни групи методи за израстване на монокристали. Хидротермален метод за израстване на монокристален αSiO2. |
3 |
|
5 |
Кристализация от газова фаза; особености. Методи на молекулния сноп и на катодното разпрашване за отлагане на слоеве. Методи за израстване на слоеве с участие на химични реакции. |
6 |
|
6 |
Основни технологични операции при производството на микроелектронни устройства. Особености и преимущества на планарната технология. |
3 |
|
7 |
Механична и химична обработка на монокристали и пластини. |
4 |
|
8 |
Епитаксия и епитаксиални слоеве. Методи за израстване на епитаксиални слоеве от Si. Металоорганична епитаксия. Молекулнолъчева епитаксия |
5 |
|
9 |
Легиране с примеси. Дифузия и йонна имплантация: модели на процесите, оборудвание,разпределение на примеси и дефекти. оборудвание,разпределение на примеси и дефекти. |
4 |
|
10 |
Диелектрични покрития: предназначение, състави, методи за получаване. |
3 |
|
11 |
Литография. Фотолитография, фотолитографски процес и възможности. Електроннолъчева и рентгенова литография. |
7 |
|
12 |
Метализация и омови контакти: изисквания, контактни системи, методи за формиране. |
3 |
|
13 |
Някои особености в технологията на големи и свръхголеми интегрални схеми. |
2 |
|
14 |
Монтаж на интегрални схеми. |
3 |
|
Упражнения |
||
|
1 |
Апаратура за металорганична епитаксия – основни системи, особености и възможности. Предепитаксиална подготовка на подложки. |
5 |
|
2 |
Принцип на работа и устройство на газопламъчни, ектрорезистивни, индукционни нагревателни устройства. |
3 |
|
3 |
Принцип на работа и устройство на роторни и дифузионни вакуумни помпи. |
3 |
|
4 |
Изучаване на технологична схема на биполярен транзистор. |
2 |
|
5 |
Изучаване на технологична схема на MOS транзистор. |
2 |
В. Формата на контрол е: текуща оценка.
Текущата оценка се поставя при събеседване със студентите след прослушване на съответния лекционен материал и провеждане на упражненията.
Г. Основна литература:
1. Ю. Таиров, В. Цветков. Технология полупроводниковых и диэлектрических
материалов, Москва, 1990 г.
2. Т. Cугано и др., Введение в микроэлектронику, Мир, Москва, 1988.
3. А. Березин, О. Мочалкина, Технология и конструирование интегралных микросхем, М., 1983.
4. А. Атанасов, Основи на микроелектрониката, Техника, София, 1992.
Д. Допълнителна литература:
1. С. Зи, Технология СБИС, 1ви и 2ри том, Мир, Москва, 1986.
2. М. Херман, Полупроводниковые сверхрешетки, Мир, Москва, 1989.
Съставил програмата:
Дата: 29.03.2004 г. доц. Н. Станев